Nu se pretează? Nu contează! La noi puteți returna bunurile în 30 de zile
Cu un voucher cadou nu veți da greș. În schimbul voucherului, destinatarul își poate alege orice din oferta noastră.
30 de zile pentru retur bunuri
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.