Magnetische Tunnelelementemit Halbmetall-Elektroden

Grundbaustein für neuartige Datenspeicher ist das§magnetische Tunnelelement. Dieses besteht im§Wesentlichen aus zwei ferromagnetischen Elektroden,§die durch eine dünne Isolatorschicht voneinander§getrennt sind. Der Widerstand des Isolators (der so§genannten Tunnelbarriere) hängt dabei von der§relativen Orientierung§der Magnetisierung der beiden Ferromagnete ab. Die§Widerstandsänderung wird Magnetowiderstandseffekt§genannt. In erster Näherung hängt die Effektgröße von§der Wahl des Elektrodenmaterials ab. Werden§Halbmetalle verwendet, ergibt sich theoretisch eine§unendlich§große Widerstandsänderung. Im realen System hängt§der Magnetowiderstandseffekt aber außerdem von der§Qualität der Elektroden, der Barriere und deren§Grenzflächen ab. Diese Schrift befasst sich mit der§Optimierung von Tunnelelementen mit halbmetallischen§Elektroden, wie das Eisenoxid Magnetit und die§Heusler-Legierungen Co2MnSi und Co2FeSi. Der Fokus§liegt dabei auf einer Charakterisierung der§magnetischen, chemischen und§elektronischen Eigenschaften der§Barrieren/Elektroden-Grenzflächen. Das Buch gibt§praktische Hinweise für die erfolgreiche Präparation§von oben genannten magnetischen Tunnelelementen.