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Mod lisation Du Courant Drain Induit Par La Grille
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192 b
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En se basant sur le modčle des bandes d'énergie nous avons proposé un modčle élaboré du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales réelles du champ électrique transversal et du profile du dopage dans la région de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande ŕ bande dans le transistor est attribué non seulement ŕ l'existence d'un champ électrique transversal mais aussi au champ électrique latéral. Par conséquent, le courant de fuite dű ŕ l'effet tunnel bande ŕ bande n'est plus constant pour la męme valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille différentes et il dépend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille séparément. En modélisant la densité des défauts localisés dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les résultats de simulation révčlent que le courant de fuite dépend des deux types des défauts (accepteurs et donneurs). Une méthode numérique a été proposée pour le calcul du taux tunnel bande ŕ bande assisté par les états d'interface afin de clarifier l'impact des états d'interface sur le courant de fuite.
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