Ultrarauscharme Verstärker in mHEMT-Technologie

Monolithisch integrierte Mikro- und Millimeterwellenschaltungen (MMICs) haben heutzutage in den Bereichen der Kommunikation und Navigation, der Radartechnik und nicht zuletzt innerhalb des Mobilfunks einen weitgefächerten Einsatzbereich. Im Gegensatz zu hybrid aufgebauten Schaltungen werden bei MMICs alle benötigten aktiven und passiven Bauelemente sowie die wellenleitenden Medien gemeinsam auf einem Halbleitersubstrat integriert. Die Vorteile dieses Verfahrens liegen in der größeren Packungsdichte, der hohen mechanischen Stabilität, dem geringen Gewicht und in dem durch Massenfertigung erreichbaren günstigen Preisniveau. Innerhalb dieser MMICs nehmen Verstärkerschaltungen eine wichtige Rolle ein. Sie kommen als rauscharme Verstärker (LNAs, low noise amplifiers), breitbandige Verstärker bzw. als Leistungsverstärker in Empfangs- und Sendemodulen sowie in Oszillatorschaltungen oder Mischern zum Einsatz. Die bisherige Entwicklung von Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs), der erste wurde 1980, basierend auf dem Verbindungshalbleiter GaAs und dem ternären Verbindungshalbleiter AlGaAs hergestellt, hat einen großen Fortschritt im Bereich der Hochfrequenztechnik gebracht.